Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

TK063N60Z1,S1F

Name: Toshiba TK063N60Z1,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK063N60Z1S1F
Price: 3840 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

757-TK063N60Z1S1F

Fabricante N.º:

TK063N60Z1,S1F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

TK063N60Z1,S1F Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Toshiba TK063N60Z1,S1F

En existencias: 73

Existencias:: 73

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 30
Plazo de entrega de fábrica:: 16

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 840	₡3 840
	₡2 204	₡22 040
	₡1 844	₡221 280

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	37 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	63 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	56 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	242 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	50 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	105 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	84 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TK063N60Z1,S1F Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [R_DS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.