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UF3C065030B3

Name: onsemi UF3C065030B3
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065030B3
Price: 13700 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

431-UF3C065030B3

Fabricante N.º:

UF3C065030B3

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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	₡9 715	₡4 857 500
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	₡9 257	₡7 405 600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	65 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	51 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 25 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	242 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	15 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	16 ns
Serie:	UF3C
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	57 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32 ns
Peso de la unidad:	3 g

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UF3C065030B3 Hoja de datos

Models

SPICE Model/UF3C065030B3 (Texto)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.