Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

UJ3N120035K3S

Name: onsemi UJ3N120035K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N120035K3S
Price: 16889.6 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

431-UJ3N120035K3S

Fabricante N.º:

UJ3N120035K3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO

Hoja de datos:

UJ3N120035K3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi UJ3N120035K3S

En existencias: 583

Existencias:: 583 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 31 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡16 889,60	₡16 889,60
	₡14 790,00	₡147 900,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	63 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	429 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UJ3N
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Nombre comercial:	SiC JFET
Peso de la unidad:	13,633 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

UJ3N120035K3S Hoja de datos

Models

SPICE Model/UJ3N120035K3S (Texto)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.