VS-SF50LA120

Name: Vishay VS-SF50LA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF50LA120
Price: 28565 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-VS-SF50LA120

Fabricante N.º:

VS-SF50LA120

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Existencias:: 160

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 160
Plazo de entrega de fábrica:: 19

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡28 565,00	₡28 565,00
	₡27 196,20	₡271 962,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	43 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	9.28 ns
Producto:	Power Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	29.44 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	160
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	27.52 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.44 ns