Infineon CoolMOS – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 848
312En existencias
NRND

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SPP17N80C3XKSA1

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726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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₡1 351

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220-3

SPP20N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 436
105En existencias
NRND

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SPP20N60CFDXKSA1

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726-SPP20N60CFDXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220-3

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₡2 436

₡1 763

₡1 514

₡1 189

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD

SPW24N60CFD
Infineon Technologies
1: ₡3 648
107En existencias
NRND

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SPW24N60CFD

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726-SPW24N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD

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₡3 648

₡2 796

₡1 984

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
1: ₡1 873
182En existencias
500En pedido
NRND

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SPA08N80C3

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726-SPA08N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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182En existencias

500En pedido

₡1 873

₡1 218

₡893

₡742

₡650

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3
Infineon Technologies
1: ₡2 981
128En existencias
NRND

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SPP17N80C3

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726-SPP17N80C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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₡1 978

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₡1 357

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

IPP60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 560
500En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
IPP60R016CM8XKSA1

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726-IPP60R016CM8XKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 634
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IPDD60R037CM8XTMA1

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726-IPDD60R037CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 744

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IPL60R065C7AUMA1

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726-IPL60R065C7AUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 740

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IPB60R180P7ATMA1

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726-IPB60R180P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡6 995

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IPZ60R040C7XKSA1

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726-IPZ60R040C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 253
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IPLK80R900P7ATMA1

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726-IPLK80R900P7ATMA

NRND

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IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: ₡1 473

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IPA50R190CEXKSA2

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IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡969

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IPD60R280P7SAUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡841

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IPD60R360P7SAUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R900P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 090

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IPD80R900P7ATMA1

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726-IPD80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡882

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IPN80R1K4P7ATMA1

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726-IPN80R1K4P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 729

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IPP65R110CFDAAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R110CFDAAKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

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₡2 442

₡2 233

₡1 821

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 701

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡4 025

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₡2 981

₡2 790

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 234

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡2 772

₡2 042

₡1 810

₡1 607

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW65R190CFDFKSA2
Infineon Technologies
1: ₡2 395

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190CFDFKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190CFDFKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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₡2 395

₡1 322

₡1 102

₡980

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡12 876

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡12 876

₡9 616

₡8 317

₡8 311

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: ₡7 186

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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₡3 903

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IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡789
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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₡789

₡494

₡342

₡270

₡245

Envase tipo carrete

₡193

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Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡597
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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₡597

₡374

₡244

₡187

Envase tipo carrete

₡132

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Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380C6
Infineon Technologies
1: ₡1 363
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R380C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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₡1 363

₡870

₡603

₡511

₡442

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₡406

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: 2 500

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