Infineon CoolMOS – Mouser Costa Rica

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.

Resultados: 652

Filtros aplicados:

Fabricante = Infineon Nombre comercial = CoolMOS

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP

IPL60R199CP
Infineon Technologies
1: ₡2 506
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R199CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

₡2 506

₡1 653

₡1 166

₡974

Envase tipo carrete

₡916

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5

SPW20N60S5
Infineon Technologies
1: ₡3 271
480En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60S5

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60S5

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5

Obtenga más información

Hoja de datos

480En pedido

₡3 271

₡1 850

₡1 543

₡1 537

₡1 491

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: ₡1 514

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡1 514

₡974

₡696

₡580

₡505

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 473

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡1 473

₡725

₡655

₡580

₡505

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6
Infineon Technologies
1: ₡2 883

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡2 883

₡2 308

₡1 868

₡1 653

₡1 467

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 827
1 308En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1 308En pedido

₡1 827

₡1 183

₡847

₡702

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDA
Infineon Technologies
1: ₡6 026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡6 026

₡4 715

₡3 932

₡3 497

₡3 271

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 507

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡4 507

₡3 381

₡3 271

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 884

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡4 884

₡3 909

₡3 161

₡2 807

₡2 488

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R165CP
Infineon Technologies
1: ₡2 975
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡2 975

₡1 723

₡1 427

₡1 357

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 833
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡1 833

₡916

₡829

₡679

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 510
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡5 510

₡3 260

₡2 970

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPA65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: ₡2 059
500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Hoja de datos

500En pedido

₡2 059

₡1 044

₡945

₡800

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 897

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡1 897

₡1 224

₡870

₡731

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 177

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡1 177

₡742

₡486

₡385

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW60R070CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 970
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡2 970

₡1 792

₡1 462

₡1 444

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R145CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 323

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R145CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R145CFD7AX1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡3 323

₡2 181

₡1 601

₡1 427

₡1 264

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 135

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡4 135

₡3 306

₡2 680

₡2 372

₡2 105

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 909

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡3 909

₡2 558

₡1 885

₡1 676

₡1 485

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 334
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

₡1 334

₡655

₡514

₡467

₡441

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA50R140CPXK
Infineon Technologies
500: ₡1 119
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R140CPXK

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CPXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

₡1 119

₡1 085

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
500: ₡592
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

₡592

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

IPA60R380P6
Infineon Technologies
1: ₡1 264
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

₡1 264

₡812

₡559

₡473

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPA60R600P6XKSA1
Infineon Technologies
500: ₡395
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

₡395

₡360

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 784
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

₡2 784

₡1 844

₡1 311

₡1 160

Envase tipo carrete

₡1 085

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Semiconductores

Soluciones incluidas