Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC100N04S6L025ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡864
46 152 En existencias
15 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L025
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
46 152 En existencias
15 000 En pedido
1
₡864
10
₡546
100
₡363
500
₡285
1 000
Ver
5 000
₡232
1 000
₡248
2 500
₡244
5 000
₡232
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 279
14 560 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
14 560 En existencias
1
₡2 279
10
₡1 496
100
₡1 050
500
₡940
1 000
₡882
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06N
Infineon Technologies
1:
₡1 792
13 674 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
13 674 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 792
10
₡1 160
100
₡853
500
₡719
1 000
₡632
2 500
₡621
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 282
50 360 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
50 360 En existencias
1
₡1 282
10
₡928
100
₡731
500
₡655
2 500
₡655
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 409
36 720 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
36 720 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 409
10
₡911
100
₡621
500
₡496
1 000
₡488
2 500
₡456
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART PWR HI SIDE SWITCH INDUSTRY APP
ISP452
Infineon Technologies
1:
₡1 728
40 910 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
ISP452
N.º de artículo de Mouser
726-ISP452
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART PWR HI SIDE SWITCH INDUSTRY APP
40 910 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 728
10
₡1 125
25
₡1 032
100
₡887
250
Ver
4 000
₡559
250
₡835
500
₡731
1 000
₡615
2 000
₡572
4 000
₡559
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART HI SIDE PWR SWITCH 1 CHANNEL
ITS428L2
Infineon Technologies
1:
₡2 030
34 542 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-ITS428L2
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART HI SIDE PWR SWITCH 1 CHANNEL
34 542 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 030
10
₡1 340
25
₡1 235
100
₡1 079
250
Ver
2 500
₡673
250
₡1 009
500
₡887
1 000
₡748
2 500
₡673
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
1:
₡974
52 648 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SPD18P06PGBTMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
52 648 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡974
10
₡621
100
₡414
500
₡326
1 000
₡298
2 500
₡274
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de pantalla táctiles CapSense Express 2 Buttons
CY8CMBR3102-SX1I
Infineon Technologies
1:
₡1 067
56 235 En existencias
N.º de artículo de Mouser
727-CY8CMBR3102-SX1I
Infineon Technologies
Controladores de pantalla táctiles CapSense Express 2 Buttons
56 235 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 067
10
₡789
25
₡592
100
₡567
250
Ver
250
₡553
500
₡532
1 000
₡505
2 910
₡493
5 820
₡488
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 914
170 En existencias
200 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
170 En existencias
200 En pedido
1
₡1 914
10
₡1 311
100
₡1 114
500
₡893
1 000
₡876
2 000
₡876
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
1:
₡1 908
1 454 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
1 454 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 908
10
₡1 241
25
₡1 143
100
₡980
2 500
₡621
5 000
Ver
250
₡922
500
₡806
1 000
₡684
5 000
₡615
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
TLE9877QXW40XUMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 486
2 351 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-TLE9877QXW40XUMA
Infineon Technologies
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición EMBEDDED_POWER
2 351 En existencias
1
₡3 486
10
₡2 674
25
₡2 465
100
₡2 250
250
Ver
2 500
₡1 966
250
₡2 146
500
₡2 076
1 000
₡2 024
2 500
₡1 966
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Memoria flash tipo NOR SEMPER
S25HL512TFANHI010
Infineon Technologies
1:
₡5 000
637 En existencias
N.º de artículo de Mouser
727-S25HL512TFANHI01
Infineon Technologies
Memoria flash tipo NOR SEMPER
637 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡5 000
10
₡4 652
25
₡4 512
50
₡4 402
100
Ver
100
₡4 298
250
₡4 112
338
₡4 089
1 014
₡3 944
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 873
130 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
130 En existencias
1
₡1 873
10
₡1 218
100
₡893
500
₡748
1 000
₡696
2 000
₡650
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
+1 imagen
1EDN7136UXTSA1
Infineon Technologies
1:
₡418
8 046 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-1EDN7136UXTSA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas LOW SIDE DRIVERS
8 046 En existencias
1
₡418
10
₡299
25
₡269
100
₡235
250
Ver
4 500
₡187
250
₡219
500
₡209
1 000
₡206
2 500
₡201
4 500
₡187
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Controladores de puertas MULTICHIP PROFET & GD
2ED2410EMXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 935
4 402 En existencias
3 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-2ED2410EMXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas MULTICHIP PROFET & GD
4 402 En existencias
3 000 En pedido
1
₡2 935
10
₡1 949
100
₡1 392
500
₡1 322
1 000
₡1 235
3 000
₡1 073
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
IKY50N120CH7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 364
435 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IKY50N120CH7XKSA
Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
435 En existencias
1
₡3 364
10
₡2 401
100
₡2 239
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos de Potencia Inteligentes - IPMs CIPOS MICRO
IM241L6T2BAKMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 894
432 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IM241L6T2BAKMA1
Infineon Technologies
Módulos de Potencia Inteligentes - IPMs CIPOS MICRO
432 En existencias
1
₡2 894
10
₡2 482
240
₡2 477
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
360°
+3 imágenes
IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 358
3 346 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
3 346 En existencias
1
₡3 358
10
₡2 250
100
₡1 618
500
₡1 583
1 000
₡1 496
1 800
₡1 479
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
IKQ100N120CH7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡6 368
650 En existencias
710 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-Q100N120CH7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
650 En existencias
710 En pedido
1
₡6 368
10
₡3 793
100
₡3 451
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
+2 imágenes
BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡702
62 877 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
62 877 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡702
10
₡438
100
₡288
500
₡223
1 000
₡203
2 500
₡166
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 1.4A
+2 imágenes
BTS3110N
Infineon Technologies
1:
₡1 404
53 542 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BTS3110N
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 1.4A
53 542 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 404
10
₡899
25
₡800
100
₡661
250
Ver
4 000
₡388
250
₡574
500
₡543
1 000
₡457
2 000
₡417
4 000
₡388
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
BTS70802EPAXUMA1
Infineon Technologies
1:
₡824
25 068 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BTS70802EPAXUMA1
Infineon Technologies
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación PROFET
25 068 En existencias
1
₡824
10
₡603
25
₡546
100
₡484
3 000
₡389
6 000
Ver
250
₡455
500
₡437
1 000
₡422
6 000
₡377
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+4 imágenes
IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
₡4 147
3 984 En existencias
2 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
3 984 En existencias
2 000 En pedido
1
₡4 147
10
₡2 610
100
₡2 262
1 000
₡2 262
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1:
₡1 235
29 782 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
29 782 En existencias
1
₡1 235
10
₡783
100
₡564
500
₡450
1 000
₡426
2 500
₡405
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles