Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 294
1 531 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 531 En existencias
1
₡3 294
10
₡2 146
100
₡1 682
500
₡1 409
1 000
₡1 305
2 000
₡1 224
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡3 874
1 941 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 941 En existencias
1
₡3 874
10
₡2 540
100
₡1 868
500
₡1 711
1 000
₡1 473
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 819
1 235 En existencias
1 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 235 En existencias
1 000 En pedido
1
₡2 819
10
₡1 850
100
₡1 444
500
₡1 067
1 000
₡1 044
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 384
6 345 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
6 345 En existencias
1
₡2 384
10
₡1 560
100
₡1 137
500
₡992
1 000
₡911
2 000
₡858
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡2 320
4 037 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
4 037 En existencias
1
₡2 320
10
₡1 520
100
₡1 067
500
₡957
1 000
₡847
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 537
6 898 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
6 898 En existencias
1
₡1 537
10
₡986
100
₡679
500
₡545
1 000
₡455
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1:
₡4 843
702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
702 En existencias
1
₡4 843
10
₡3 880
100
₡3 138
500
₡2 871
1 000
₡2 465
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1:
₡3 950
1 097 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 097 En existencias
1
₡3 950
10
₡2 651
100
₡1 914
500
₡1 734
1 000
₡1 618
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
1:
₡4 118
564 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDAATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
564 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡4 118
10
₡2 691
100
₡2 007
500
₡1 833
1 000
₡1 711
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 914
2 513 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDAATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
2 513 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 914
10
₡1 247
100
₡870
500
₡731
1 000
₡667
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 131
8 868 En existencias
2 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
8 868 En existencias
2 500 En pedido
1
₡1 131
10
₡725
100
₡484
500
₡383
1 000
₡352
2 500
₡316
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡945
3 979 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 979 En existencias
1
₡945
10
₡603
100
₡398
500
₡312
1 000
₡285
2 500
₡239
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 850
3 806 En existencias
2 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R170CFD7ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3 806 En existencias
2 500 En pedido
1
₡1 850
10
₡1 201
100
₡899
500
₡725
1 000
₡684
2 500
₡592
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
IPD65R225C7
Infineon Technologies
1:
₡1 769
2 674 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R225C7
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
2 674 En existencias
1
₡1 769
10
₡1 148
100
₡800
500
₡650
1 000
₡597
2 500
₡586
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 815
4 948 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4 948 En existencias
1
₡1 815
10
₡1 177
100
₡829
500
₡679
1 000
₡638
2 500
₡592
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1:
₡348
12 379 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12 379 En existencias
1
₡348
10
₡218
100
₡145
500
₡124
3 000
₡88,2
6 000
Ver
1 000
₡111
6 000
₡80,6
9 000
₡78,3
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡6 026
364 En existencias
500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
364 En existencias
500 En pedido
1
₡6 026
10
₡3 370
100
₡3 341
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 333
589 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
589 En existencias
1
₡4 333
10
₡3 468
100
₡2 859
500
₡2 430
1 000
₡2 210
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 775
7 737 En existencias
1 500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
7 737 En existencias
1 500 En pedido
1
₡1 775
10
₡911
100
₡824
500
₡673
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 875
284 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
284 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡5 875
10
₡3 277
100
₡3 231
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
+1 imagen
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 707
311 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
311 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡5 707
10
₡3 381
100
₡3 109
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
+1 imagen
IPW60R045CPA
Infineon Technologies
1:
₡9 466
344 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
344 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPDQ60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡5 301
73 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
73 En existencias
1
₡5 301
10
₡3 741
100
₡3 115
500
₡2 778
750
₡2 598
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
750
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPAN60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡1 462
391 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180CM8XKS
Nuevo en Mouser
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
391 En existencias
1
₡1 462
10
₡719
100
₡650
500
₡552
1 000
₡499
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD60R600CM8XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡812
1 817 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600CM8XTMA
Nuevo en Mouser
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1 817 En existencias
1
₡812
10
₡509
100
₡337
500
₡263
1 000
₡239
2 500
₡199
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles