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STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp

STY60NM60
STMicroelectronics
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461En existencias
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STY60NM60

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511-STY60NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp

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461En existencias

1 200En pedido

₡13 966,40

₡9 483,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB10LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡2 233,00
641En existencias

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STB10LN80K5

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511-STB10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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Cinta cortada

₡2 233,00

₡1 467,40

₡1 026,60

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₡852,60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V

STB11N65M5
STMicroelectronics
1: ₡1 693,60
500En existencias

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STB11N65M5

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511-STB11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V

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₡1 693,60

₡1 102,00

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₡580,00

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB14N80K5
STMicroelectronics
1: ₡2 424,40
443En existencias

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STB14N80K5

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511-STB14N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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443En existencias

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₡2 424,40

₡1 595,00

₡1 125,20

₡1 020,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STB18N60M2
STMicroelectronics
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920En existencias

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STB18N60M2

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511-STB18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

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₡1 763,20

₡1 142,60

₡794,60

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₡614,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
1: ₡3 149,40
488En existencias

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STB18NM80

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511-STB18NM80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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₡3 149,40

₡2 122,80

₡1 525,40

₡1 479,00

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₡1 380,40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm

STB20N65M5
STMicroelectronics
1: ₡2 470,80
152En existencias

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STB20N65M5

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511-STB20N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm

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₡2 470,80

₡1 629,80

₡1 154,20

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Envase tipo carrete

₡980,20

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STB20NM60T4
STMicroelectronics
1: ₡2 934,80
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STB20NM60T4

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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₡2 934,80

₡1 948,80

₡1 548,60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB21N65M5
STMicroelectronics
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STB21N65M5

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511-STB21N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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₡2 969,60

₡2 134,40

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₡1 484,80

Envase tipo carrete

₡1 386,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡2 470,80
83En existencias

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STB28N60DM2

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511-STB28N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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₡2 470,80

₡1 629,80

₡1 154,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB5N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 618,20
700En existencias

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STB5N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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₡1 049,80

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₡609,00

Envase tipo carrete

₡524,32

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB6N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 624,00
169En existencias

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STB6N80K5

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511-STB6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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169En existencias

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₡1 624,00

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Envase tipo carrete

₡535,92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

STB8N65M5
STMicroelectronics
1: ₡2 006,80
908En existencias

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STB8N65M5

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511-STB8N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

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₡2 006,80

₡1 310,80

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₡794,60

Envase tipo carrete

₡742,40

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD11N50M2
STMicroelectronics
1: ₡870,00
371En existencias

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STD11N50M2

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511-STD11N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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₡870,00

₡551,00

₡367,14

₡287,68

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₡234,90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡1 328,20
1 858En existencias

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STD11N60DM2

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511-STD11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡852,60

₡578,84

₡462,84

₡439,06

Envase tipo carrete

₡397,88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

STD11N65M5
STMicroelectronics
1: ₡1 455,80
1 127En existencias

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STD11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

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1 127En existencias

Cinta cortada

₡1 455,80

₡939,60

₡643,80

₡515,62

₡502,86

Envase tipo carrete

₡477,34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50M2
STMicroelectronics
1: ₡1 206,40
676En existencias

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STD12N50M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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676En existencias

Cinta cortada

₡1 206,40

₡771,40

₡520,84

₡414,70

₡384,54

Envase tipo carrete

₡359,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 270,20
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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422En existencias

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Cinta cortada

₡1 270,20

₡812,00

₡551,58

₡440,22

₡422,24

Envase tipo carrete

₡374,68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

STD14NM50NAG
STMicroelectronics
1: ₡1 374,60
1 083En existencias

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STD14NM50NAG

N.º de artículo de Mouser
511-STD14NM50NAG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

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1 083En existencias

Cinta cortada

₡1 374,60

₡870,00

₡620,60

₡505,76

₡502,86

Envase tipo carrete

₡486,04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡1 624,00
721En existencias

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STD15N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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721En existencias

Cinta cortada

₡1 624,00

₡1 055,60

₡725,00

₡597,40

₡585,80

Envase tipo carrete

₡552,74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD16N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 490,60
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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8En existencias

Cinta cortada

₡1 490,60

₡962,80

₡690,20

₡574,78

₡497,64

Envase tipo carrete

₡497,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 299,20
612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

612En existencias

Cinta cortada

₡1 299,20

₡835,20

₡569,56

₡454,72

₡421,08

Envase tipo carrete

₡386,28

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 055,60
1 613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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1 613En existencias

Cinta cortada

₡1 055,60

₡672,80

₡450,08

₡356,12

₡326,54

Envase tipo carrete

₡303,92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 241,20
915En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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915En existencias

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Cinta cortada

₡1 241,20

₡794,60

₡538,24

₡428,62

₡400,20

Envase tipo carrete

₡374,10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡771,40
1 311En existencias

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STD5N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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1 311En existencias

Cinta cortada

₡771,40

₡484,30

₡320,16

₡258,68

₡235,48

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₡191,40

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