STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
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: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.45 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
: 1 800

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
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Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
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Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
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Plazo de entrega 20 Semanas
Min.: 1
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.27 Ohm 13 A MDmesh(TM)
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 543
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 long lead
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Min.: 600
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