Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
600:
₡2 598
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
STWA68N60M6
STMicroelectronics
600:
₡3 979
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STWA68N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STWA68N65DM6
STMicroelectronics
600:
₡3 903
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STWA68N65DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
STY112N65M5
STMicroelectronics
600:
₡15 799
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STY112N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp
STY60NM50
STMicroelectronics
1:
₡13 044
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STY60NM50
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 60 Amp
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
STF6N60DM2
STMicroelectronics
2 000:
₡358
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N60DM2
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 2 000
Mult.: 1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET
+1 imagen
STFH10N60M6
STMicroelectronics
920:
₡520
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STFH10N60M6
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 520 mOhm typ 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Comprar
Min.: 920
Mult.: 920
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
STP9NM60N
STMicroelectronics
1 000:
₡690
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STP9NM60N
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
STW70N60M2-4
STMicroelectronics
600:
₡4 512
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60M2-4
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
STFU16N65M2
STMicroelectronics
1 000:
₡1 096
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Verificar estado con la fábrica
N.º de artículo de Mouser
511-STFU16N65M2
Verificar estado con la fábrica
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronics STD9N60M6
STD9N60M6
STMicroelectronics
2 500:
₡408
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STD9N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
STMicroelectronics STL19N60M6
STL19N60M6
STMicroelectronics
3 000:
₡864
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STL19N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Comprar
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronics STP10N80K5
STP10N80K5
STMicroelectronics
1 000:
₡795
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STP10N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronics STP22N60DM6
STP22N60DM6
STMicroelectronics
1 000:
₡806
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STP22N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronics STP26N60M2
STP26N60M2
STMicroelectronics
1:
₡2 024
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STP26N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
₡2 024
10
₡1 322
100
₡1 032
500
₡870
1 000
₡754
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
STMicroelectronics STP26N65DM2
STP26N65DM2
STMicroelectronics
1:
₡2 401
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STP26N65DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
1
₡2 401
10
₡1 578
100
₡1 125
500
₡922
1 000
₡905
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
STMicroelectronics STW26N65DM2
STW26N65DM2
STMicroelectronics
600:
₡858
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STW26N65DM2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronics STW70N65M2
STW70N65M2
STMicroelectronics
600:
₡3 909
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STW70N65M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STMicroelectronics STW72N60DM6AG
STW72N60DM6AG
STMicroelectronics
600:
₡5 127
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STW72N60DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 56 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
STMicroelectronics STWA67N60DM6
STWA67N60DM6
STMicroelectronics
600:
₡2 894
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STWA67N60DM6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
STMicroelectronics STWA67N60M6
STWA67N60M6
STMicroelectronics
1:
₡5 452
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STWA67N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
1
₡5 452
10
₡3 741
100
₡2 813
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STMicroelectronics STWA68N65DM6AG
STWA68N65DM6AG
STMicroelectronics
600:
₡3 892
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STWA68N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in
STMicroelectronics STWA72N60DM2AG
STWA72N60DM2AG
STMicroelectronics
600:
₡4 008
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STWA72N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A, MDmesh DM2 Power MOSFET in
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Comprar
Min.: 600
Mult.: 600
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 295 mOhm typ 8.5 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
STMicroelectronics STL15N60DM6
STL15N60DM6
STMicroelectronics
3 000:
₡579
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STL15N60DM6
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 295 mOhm typ 8.5 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 700 V, 1.2 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET
STMicroelectronics STU5N70M6-S
STU5N70M6-S
STMicroelectronics
3 000:
₡400
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STU5N70M6-S
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 700 V, 1.2 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Detalles