STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics STWA35N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STI33N60M6
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.39 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.182 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000