STMicroelectronics MDmesh Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 21 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 0.2Ohm typ 19A Zener-protected
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.037Ohm 58A
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 275 mOhm typ., 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long le
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 78 mOhm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247 long leads
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 Ohm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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STMicroelectronics STW63N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics STWA63N65DM2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.042 Ohm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
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Mult.: 600