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Electromecánica

Sensores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Toshiba Controladores de puertas 80V 3-Phase Gate Driver, Igate 1A source/2A sink, SPI Interface, 3 sense amps, with 5V LDO, P-WQFN40 6x6
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3 980En existencias
Min.: 1
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: 4 000

Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente 23V, 4A eFuse IC with Adjustable Overcurrent Protection
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5 622En existencias
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: 3 000

Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente 23V, 4A eFuse IC with Adjustable Overcurrent Protection
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3 000En existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Toshiba Controladores de voltaje intercambiables en caliente 23V, 4A eFuse IC with Adjustable Overcurrent Protection
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2 884En existencias
Min.: 1
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: 3 000

Toshiba Circuito integrado de interfaz PCI PCIe Switch 2:1 Mux/de-mux SPDT XQFN16 1.6V-3.6V 1-32Gbps Pd: 180mW
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2 833En existencias
5 000En pedido
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: 5 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS6 TO-247 40mohm
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495En existencias
60En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
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1 998En existencias
2 000En pedido
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: 2 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
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2 000En existencias
2 000En pedido
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: 2 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?
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1 997En existencias
2 000En pedido
Min.: 1
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: 2 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?
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2 000En existencias
2 000En pedido
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: 2 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
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1 996En existencias
2 000En pedido
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: 2 000

Toshiba Optoacopladores de salida de transistores TRANS OPTOCPLR;4-CH;AC INPUT
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1 775En existencias
4 000En pedido
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: 2 000

Toshiba Optoacopladores de salida MOSFET PHOTORELAY
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2 347En existencias
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: 2 500

Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico 6.8A Gate Drive Coupler; AMC; RRO; RoHS; VDE
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1 494En existencias
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: 1 500

Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico 6.8A Gate Drive Coupler; AMC; RRO; RoHS; VDE
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1 500En existencias
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: 1 500

Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico 6.8A Gate Drive Coupler; AMC; RRO; RoHS
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1 478En existencias
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: 1 500

Toshiba Controladores de puerta con aislamiento óptico 6.8A Gate Drive Coupler; AMC; RRO; RoHS
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1 465En existencias
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: 1 500

Toshiba Optoacopladores de salida MOSFET Photorelay; 900V; AEC-Q101
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810En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida MOSFET Photorelay; AEC-Q101
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1 490En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
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9 480En existencias
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: 5 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
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4 995En existencias
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: 5 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 150 V, 0.0071 ohma.10V, Qrr=43nCa.100A/ s, SOP Advance(E), U-MOS?-H
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4 029En existencias
5 000En pedido
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: 5 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm
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4 783En existencias
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: 5 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
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5 000En existencias
5 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LTOGL 100V 300A
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2 980En existencias
1 500En pedido
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Min.: 1
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: 1 500