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Protección de circuitos

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Electromecánica

Sensores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Toshiba Optoacopladores de salida de fotodiodo Photovoltaic Coupler; RoHS; AEC-Q101
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU MCU,M3,120MHz,512kBMem/66kBRAM,QP64 1 546En existencias
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU MCU,M3,120MHz,512kBMem/66kBRAM,QFP80
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2 378En existencias
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU MCU,M3,120MHz,512kBMem/66kBRAM,QFP100 1 976En existencias
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU MCU,M3,120MHz,512kBMem/66kBRAM,QFP100 1 800En existencias
1 800En pedido
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU MCU,M3,120MHz,1MBMem/130kBRAM,QFP128 1 795En existencias
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU MCU,M3,120MHz,1MBMem/130kBRAM,QFP144 1 194En existencias
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU MCU,M3,120MHz,512kBMem/66kBRAM,QFP144 598En existencias
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Toshiba Microcontroladores ARM - MCU LCD DIPSLAY CONTROLLER, MCU, GENERAL PURPOSE
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898En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
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6 993En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm
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2 505En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 9mohm
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5 119En existencias
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Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
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1 935En existencias
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Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
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3 968En existencias
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Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
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4 531En existencias
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Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
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4 849En existencias
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Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
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2 320En existencias
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Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
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31En existencias
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Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
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49En existencias
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Toshiba MOSFETs de SiC G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
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142En existencias
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Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
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224En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) S-TOGL N-CH 40V 160A
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2 440En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL
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3 360En existencias
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: 1 500

Toshiba Codificadores, decodificadores, multiplexores y demultiplexores Pb-F 3-to-8 Line Decoder Decoder VCC: 1.65-3.6V
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218 913En existencias
22 500En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
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212 890En existencias
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: 3 000