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Resultados: 381
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Renesas Electronics OSC XPP736049.15200 PROGRAMMABLE XO
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: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP736122.88000 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP736159.37500 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
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: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP736161.13258 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
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: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP736161.13281 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP7 5032 HCMOS XO LOW JITTER
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP736625.00000 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP736915.00000 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP73Q100.00000 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Renesas Electronics OSC XPP73Q156.25000 PROGRAMMABLE XO
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 11A 11mOhm SO-8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
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: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 24mOhm TO-252
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 3.88mOhm TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 4 000
Mult.: 800
: 800

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 15.5A 11mOhm PMPAK5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.7A 8.2mOhm PMPAK5x6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 8.4mOhm TO-252
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17.8A 8.4mOhm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 20A 6.9mOhm SPPAK-5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS P -100V -3.4A 135mohm PMPAK-3x3
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 100V 17A 10mOhm PMPAK5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 000
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: 2 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 3.9mOhm TOLL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS N 150V 16.1A 9.3mOhm PMPAK5x6X
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 12A 10.4mohm PMPAK-5x6
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOS Dual N 30V 7.8A 20mohm SO-8
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000