CoolSiC – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

Módulos de semiconductores discretos EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM

FF6MR20W2M1HQB70BPSA1
Infineon Technologies
1: ₡174 150,80
Nuevo producto

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FF6MR20W2M1HQB70BPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-FF6MR20W2M1HQB70

Nuevo producto

Infineon Technologies

Módulos de semiconductores discretos EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM

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₡174 150,80

₡147 059,00

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMBG120R040M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡7 313,80

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AIMBG120R040M1XTMA1

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726-AIMBG120R040M1X1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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₡7 313,80

₡4 953,20

₡4 431,20

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₡4 129,60

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: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R160M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 688,80

N.º de artículo del Fabricante
AIMBG120R160M1XTMA1

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726-AIMBG120R160M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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₡3 688,80

₡2 343,20

₡2 320,00

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₡2 163,40

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MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

AIMDQ75R004M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡37 224,40
Nuevo producto

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AIMDQ75R004M2HXTMA1

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726-AIMDQ75R004M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

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₡37 224,40

₡32 335,00

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₡28 280,80

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: 750

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

AIMZA75R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡20 856,80
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
AIMZA75R007M2HXKSA1

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726-AIMZA75R007M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

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₡20 856,80

₡17 063,60

₡15 074,20

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MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

AIMZA75R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡16 176,20
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AIMZA75R011M2HXKSA1

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726-AIMZA75R011M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

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₡16 176,20

₡12 951,40

₡11 199,80

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R040M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡7 760,40

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AIMZH120R040M1TXKSA1

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726-AIMZH120R040M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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₡7 760,40

₡4 727,00

₡4 483,40

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Módulos MOSFET XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC

FF1300UXTR23T2M1PBPSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 120 746,80
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FF1300UXTR23T2M1PBPSA1

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726-FF1300UXTR23T2P1

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Infineon Technologies

Módulos MOSFET XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC

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₡2 120 746,80

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Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes

FS01M3R08A7MA2BHPSA1
Infineon Technologies
1: ₡516 669,80
Nuevo producto

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FS01M3R08A7MA2BHPSA1

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726-FS01M3R08A7MA2BH

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Infineon Technologies

Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/600 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes

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₡516 669,80

₡454 238,60

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Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes

FS02MR08A7MA2BHPSA1
Infineon Technologies
1: ₡442 279,00
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
FS02MR08A7MA2BHPSA1

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726-FS02MR08A7MA2BHP

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Infineon Technologies

Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 750 V/500 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes

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₡442 279,00

₡393 767,80

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Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes

FS03M1R12A7MA2BHPSA1
Infineon Technologies
1: ₡395 618,00
Nuevo producto

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FS03M1R12A7MA2BHPSA1

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726-FS03M1R12A7MA2BH

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Infineon Technologies

Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 CoolSiC: Compact 1200 V/300 A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes

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₡395 618,00

₡352 222,40

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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

IDK05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 169,20
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IDK05G120C5XTMA1

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726-IDK05G120C5XTMA1

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE

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₡2 169,20

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₡1 078,80

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₡835,20

₡788,80

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDW12G65C5XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 143,60

N.º de artículo del Fabricante
IDW12G65C5XKSA1

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726-IDW12G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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₡3 143,60

₡1 931,40

₡1 542,80

₡1 229,60

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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE

IDW40G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 004,00
480En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IDW40G120C5BFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G120C5BFKSA

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE

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480En pedido

₡8 004,00

₡6 461,20

₡4 848,80

₡4 483,40

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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
1: ₡7 830,00

N.º de artículo del Fabricante
IDW40G65C5BXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IDW40G65C5BXKSA2

Infineon Technologies

Diodos Schottky de SiC SIC DIODES

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₡7 830,00

₡5 080,80

₡4 466,00

₡4 419,60

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBF170R650M1XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 474,20

N.º de artículo del Fabricante
IMBF170R650M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBF170R650M1XTM

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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₡3 474,20

₡2 238,80

₡1 577,60

₡1 461,60

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₡1 455,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

IMBG120R220M1HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 181,80

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R220M1HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R220M1HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

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Cinta cortada

₡4 181,80

₡2 737,60

₡2 018,40

₡1 850,20

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₡1 589,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R036M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 402,20
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R036M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R036M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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₡4 402,20

₡2 975,40

₡2 169,20

₡1 896,60

Envase tipo carrete

₡1 896,60

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT40R045M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 746,80
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMLT40R045M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R045M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET

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₡3 746,80

₡2 511,40

₡1 809,60

₡1 554,40

Envase tipo carrete

₡1 531,20

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 925,20
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMTA65R026M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMTA65R026M2HXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

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₡6 925,20

₡4 790,80

₡3 886,00

₡3 636,60

Envase tipo carrete

₡3 248,00

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 382,40

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R060M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R060M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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₡5 382,40

₡3 172,60

₡3 074,00

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 680,60

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R090M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R090M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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₡4 680,60

₡2 708,60

₡2 459,20

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

IMW120R220M1HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 485,80

N.º de artículo del Fabricante
IMW120R220M1HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R220M1HXKS

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package

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₡3 485,80

₡1 983,60

₡1 780,60

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R020M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 421,60

N.º de artículo del Fabricante
IMW65R020M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R020M2HXKSA

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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₡8 421,60

₡6 223,40

₡5 782,60

₡4 814,00

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

IMWH170R450M1XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 210,80
950En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IMWH170R450M1XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMWH170R450M1XKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC DISCRETE

Hoja de datos

950En pedido

₡4 210,80

₡2 436,00

₡2 146,00

₡2 140,20

Min.: 1
Mult.: 1

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