MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
IMYR140R006M2HXLSA1
Infineon Technologies
1:
₡27 503,60
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMYR140R006M2HXL
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
1
₡27 503,60
10
₡22 144,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA40R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡10 486,40
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R011M2HXKS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1
₡10 486,40
10
₡6 484,40
100
₡5 823,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA40R015M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡8 062,00
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R015M2HXKS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1
₡8 062,00
10
₡5 104,00
100
₡4 396,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
IMZC140R011M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡16 773,60
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R011M2HXK
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
1
₡16 773,60
10
₡13 427,00
100
₡11 611,60
240
₡11 611,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
240
Detalles
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 266,40
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
1
₡5 266,40
10
₡3 103,00
100
₡2 795,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
FS520R12A8P1BHPSA1
Infineon Technologies
1:
₡291 890,80
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-FS520R12A8P1BHPS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Módulos IGBT HybridPACK Drive G2 module : compact six-pack power module (1200V/520A) with enhanced package optimized for hybrid and electric vehicles
1
₡291 890,80
12
₡248 767,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDH05G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 105,40
500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IDH05G120C5XKSA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
500 En pedido
1
₡2 105,40
10
₡1 374,60
100
₡991,80
500
₡812,00
1 000
₡765,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
IMDQ75R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
₡9 088,60
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R020M2HXTM
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
1
₡9 088,60
10
₡7 400,80
100
₡6 165,40
500
₡5 492,60
750
₡5 133,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
750
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMW40R036M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 744,40
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R036M2HXKSA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1
₡4 744,40
10
₡2 946,40
100
₡2 476,60
480
₡2 285,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMW40R045M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 199,20
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMW40R045M2HXKSA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1
₡4 199,20
10
₡2 401,20
100
₡2 012,60
480
₡1 902,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA40R025M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡6 287,20
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R025M2HXKS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1
₡6 287,20
10
₡3 729,40
100
₡3 213,20
480
₡3 074,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA40R036M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 901,00
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R036M2HXKS
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
1
₡4 901,00
10
₡3 050,80
100
₡2 569,40
480
₡2 354,80
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMBG120R010M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
₡16 912,80
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R010M1X1
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
₡16 912,80
10
₡13 044,20
100
₡13 032,60
1 000
₡12 342,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
AIMBG120R120M1XTMA1
Infineon Technologies
1 000:
₡1 914,00
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R120M1X1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete :
1 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_SICMOS
AIMBG75R016M1HXTMA1
Infineon Technologies
1:
₡11 484,00
Plazo de entrega 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG75R016M1HXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_SICMOS
Plazo de entrega 52 Semanas
1
₡11 484,00
10
₡8 224,40
100
₡7 922,80
1 000
₡7 395,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMZH120R080M1TXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 237,40
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R080M1TX
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
₡5 237,40
10
₡3 126,20
100
₡2 726,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMZHN120R010M1TXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡20 984,40
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMZHN120R010M1T
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
₡20 984,40
10
₡19 232,80
100
₡15 155,40
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMZHN120R030M1TXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡9 697,60
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMZHN120R030M1T
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
₡9 697,60
10
₡8 381,00
100
₡6 380,00
480
₡6 322,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMZHN120R060M1TXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡8 137,40
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMZHN120R060M1T
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
₡8 137,40
10
₡5 852,20
100
₡3 880,20
480
₡3 723,60
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMZHN120R120M1TXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 164,40
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMZHN120R120M1T
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
₡4 164,40
10
₡3 381,40
100
₡2 563,60
480
₡2 488,20
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
AIMZHN120R160M1TXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 515,80
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-AIMZHN120R160M1T
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
₡5 515,80
10
₡3 746,80
100
₡2 447,60
480
₡2 320,00
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
FF3MR20KM1HSHPSA1
Infineon Technologies
10:
₡358 277,60
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-FF3MR20KM1HSHPSA
Infineon Technologies
Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 10
Mult.: 10
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDK16G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1 000:
₡1 780,60
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
N.º de artículo de Mouser
726-IDK16G120C5XTMA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete :
1 000
Detalles
Diodos Schottky de SiC SIC_DISCRETE
AIDK12S65C5ATMA1
Infineon Technologies
1 000:
₡1 780,60
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-AIDK12S65C5ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC_DISCRETE
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete :
1 000
Detalles
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
360°
+4 imágenes
IMBG65R030M1HXTMA1
Infineon Technologies
1 000:
₡3 862,80
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R030M1HXTM
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete :
1 000
Detalles