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MDmesh Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V

STB11N65M5
STMicroelectronics
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STB11N65M5

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511-STB11N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshM5 710V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB14N80K5
STMicroelectronics
1: ₡2 424
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STB14N80K5

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511-STB14N80K5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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₡1 595

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STB18N60M2
STMicroelectronics
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STB18N60M2

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511-STB18N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

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₡1 763

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
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STB18NM80

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511-STB18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm

STB20N65M5
STMicroelectronics
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STB20N65M5

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511-STB20N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STB20NM60T4
STMicroelectronics
1: ₡2 935
411En existencias

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STB20NM60T4

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511-STB20NM60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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STB21N65M5
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STB21N65M5

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STB28N60DM2
STMicroelectronics
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STB5N80K5
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STB6N80K5
STMicroelectronics
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STB8N65M5
STMicroelectronics
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STD11N50M2
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STD11N60DM2
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

STD11N65M5
STMicroelectronics
1: ₡1 456
1 127En existencias

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STD11N65M5

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511-STD11N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50M2
STMicroelectronics
1: ₡1 206
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STD12N50M2

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₡360

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 270
412En existencias

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STD12N65M2

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511-STD12N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡1 270

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₡552

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

STD14NM50NAG
STMicroelectronics
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STD14NM50NAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

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₡1 375

₡870

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₡503

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₡486

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60DM6
STMicroelectronics
1: ₡1 624
711En existencias

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STD15N60DM6

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511-STD15N60DM6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

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₡1 624

₡1 056

₡725

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₡553

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD18N60M6
STMicroelectronics
1: ₡1 299
612En existencias

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STD18N60M6

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511-STD18N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

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612En existencias

Cinta cortada

₡1 299

₡835

₡570

₡455

₡421

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₡386

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD3LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 056
1 513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3LN80K5

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511-STD3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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1 513En existencias

Cinta cortada

₡1 056

₡673

₡450

₡356

₡327

Envase tipo carrete

₡304

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: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4LN80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 241
915En existencias

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STD4LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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₡1 241

₡795

₡538

₡429

₡400

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₡374

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD5N60DM2
STMicroelectronics
1: ₡771
1 311En existencias

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STD5N60DM2

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511-STD5N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡771

₡484

₡320

₡259

₡235

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

STD6N52K3
STMicroelectronics
1: ₡1 056
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STD6N52K3

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511-STD6N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V MDMesh

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₡1 056

₡673

₡452

₡358

₡329

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₡307

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD7N65M2
STMicroelectronics
1: ₡1 148
943En existencias

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STD7N65M2

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511-STD7N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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₡1 148

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₡509

₡432

₡367

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

STD7N80K5
STMicroelectronics
1: ₡1 531
821En existencias

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STD7N80K5

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511-STD7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5

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₡1 531

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₡547

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