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Resultados: 676
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
Hoja de datos
Plazo de entrega 17 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP CoolMOS CFD
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.4A TO220-3
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Herramientas de desarrollo de administración de IC SONSTIGES
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Plazo de entrega 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
No

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 35 Amps 600V
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Plazo de entrega no en existencias 83 Semanas


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 70 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 85 Amps 600V 36 Rds
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Plazo de entrega 13 Semanas