CoolMOS – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 496
2 881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6AUMA1

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726-IPL60R180P6AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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2 881En existencias

Cinta cortada

₡1 496

₡1 137

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₡847

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡725
12 174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360P7SATMA1

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726-IPN60R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12 174En existencias

Cinta cortada

₡725

₡454

₡299

₡234

₡211

Envase tipo carrete

₡178

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: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 501
1 320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R075CFD7AXKSA1

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726-IPW65R075CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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1 320En existencias

₡4 501

₡3 602

₡2 912

₡2 587

₡2 291

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R024CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 754
700En existencias
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IPLT60R024CM8XTMA1

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726-IPLT60R024CM8XTM

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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Cinta cortada

₡5 754

₡4 182

₡3 486

₡3 103

₡2 900

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₡2 900

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 083
700En existencias
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IPLT60R037CM8XTMA1

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726-IPLT60R037CM8XTM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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₡4 083

₡3 271

₡2 645

₡2 349

₡2 076

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₡2 076

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: 1 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6
Infineon Technologies
1: ₡2 059
411En existencias

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IPP60R160P6

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726-IPP60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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411En existencias

₡2 059

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₡1 027

₡853

₡748

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPW60R190P6
Infineon Technologies
1: ₡2 285
616En existencias

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IPW60R190P6

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726-IPW60R190P6

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₡2 285

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₡1 102

₡974

₡870

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM

IPA60R600P6
Infineon Technologies
1: ₡1 206
430En existencias

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IPA60R600P6

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726-IPA60R600P6

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₡1 206

₡771

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPA60R190P6
Infineon Technologies
1: ₡1 711
613En existencias

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IPA60R190P6

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726-IPA60R190P6

Infineon Technologies

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₡1 711

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₡818

₡679

₡592

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPP60R190P6
Infineon Technologies
1: ₡1 856
915En existencias

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IPP60R190P6

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726-IPP60R190P6

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₡1 856

₡1 212

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP

IPL60R385CP
Infineon Technologies
1: ₡1 131
2 086En existencias
NRND

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IPL60R385CP

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726-IPL60R385CP

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3
Infineon Technologies
1: ₡1 496
2 284En existencias
NRND

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SPA06N80C3

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726-SPA06N80C3

NRND

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₡1 496

₡969

₡690

₡576

₡499

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡742
10 464En existencias
NRND

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IPD60R1K4C6ATMA1

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₡742

₡451

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₡246

₡223

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₡189

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: ₡858
8 754En existencias
NRND

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IPD80R2K8CEATMA1

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726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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₡858

₡542

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₡291

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₡230

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

IPB65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 438
918En existencias

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IPB65R660CFDAATMA1

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726-IPB65R660CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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₡1 438

₡928

₡638

₡507

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₡468

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R600P6ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡934
1 986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

1 986En existencias

Cinta cortada

₡934

₡592

₡394

₡310

₡282

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₡258

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R115CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 854
335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R115CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R115CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

335En existencias

₡2 854

₡1 520

₡1 375

₡1 241

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPL60R365P7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 647
4 532En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R365P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

4 532En existencias

Cinta cortada

₡1 647

₡1 050

₡725

₡615

Envase tipo carrete

₡518

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N65C3
Infineon Technologies
1: ₡11 142
274En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

274En existencias

₡11 142

₡9 471

₡4 553

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 630
853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

853En existencias

₡1 630

₡812

₡731

₡579

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

IPD60R380C6ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 299
2 690En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R380C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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Hoja de datos

2 690En existencias

Cinta cortada

₡1 299

₡835

₡564

₡451

₡427

Envase tipo carrete

₡406

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 212
2 219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R399CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2

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Hoja de datos

2 219En existencias

Cinta cortada

₡1 212

₡777

₡524

₡417

₡388

Envase tipo carrete

₡369

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: ₡499
7 647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K4P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

7 647En existencias

Cinta cortada

₡499

₡309

₡201

₡154

Envase tipo carrete

₡111

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 189
1 441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R900P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1 441En existencias

₡1 189

₡748

₡492

₡390

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: ₡505
29 208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R1K4P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

29 208En existencias

₡505

₡380

₡260

₡204

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Min.: 1
Mult.: 1

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