CoolMOS – Mouser Costa Rica

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB65R095C7ATMA2
Infineon Technologies
1: ₡3 451
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IPB65R095C7ATMA2

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726-IPB65R095C7ATMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡3 451

₡2 314

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 118
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IPB65R110CFDAATMA1

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726-IPB65R110CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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Cinta cortada

₡4 118

₡2 691

₡2 007

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 914
2 513En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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₡1 914

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 131
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IPD50R280CEAUMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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₡1 131

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₡383

₡352

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡922
3 989En existencias

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726-IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

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₡586

₡389

₡305

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R170CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 769
3 816En existencias
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IPD60R170CFD7ATMA1

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726-IPD60R170CFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡1 769

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

IPD65R225C7
Infineon Technologies
1: ₡1 769
2 674En existencias

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IPD65R225C7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

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₡1 769

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPD80R360P7ATMA1

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₡1 705

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₡632

₡603

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IPN50R2K0CEATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R4K5P7ATMA1
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IPN80R4K5P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R040C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 333
589En existencias

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IPP60R060C7XKSA1

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726-IPP60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡3 468

₡2 859

₡2 430

₡2 210

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 775
7 737En existencias
1 500En pedido

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IPP60R190P6XKSA1

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726-IPP60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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₡824

₡673

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 464
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R045C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7

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₡5 464

₡3 178

₡3 155

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 707
411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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411En existencias

₡5 707

₡3 381

₡3 109

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

IPW60R045CPA
Infineon Technologies
1: ₡9 466
344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

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Hoja de datos

344En existencias

₡9 466

₡6 003

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 301
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-DQ60R045CFD7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

73En existencias

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₡5 301

₡3 741

₡3 115

₡2 778

Envase tipo carrete

₡2 598

Min.: 1
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: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPAN60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 462
407En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180CM8XKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

407En existencias

₡1 462

₡719

₡650

₡552

₡499

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡812
1 827En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1 827En existencias

Cinta cortada

₡812

₡509

₡337

₡263

₡239

Envase tipo carrete

₡199

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ60R022S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡7 494
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R022S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R022S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

580En existencias

Cinta cortada

₡7 494

₡5 858

₡4 884

₡4 350

Envase tipo carrete

₡4 072

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

IPDQ60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 472
300En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R037CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

₡4 472

₡3 579

₡2 894

₡2 575

Envase tipo carrete

₡2 279

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPDQ60R040S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 249
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R040S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R040S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

487En existencias

Cinta cortada

₡5 249

₡3 700

₡3 086

₡2 749

Envase tipo carrete

₡2 569

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡14 477
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R010S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R010S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

422En existencias

Cinta cortada

₡14 477

₡10 811

₡9 350

Envase tipo carrete

₡9 350

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡8 543
699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

699En existencias

Cinta cortada

₡8 543

₡6 954

₡5 794

₡5 162

Envase tipo carrete

₡4 826

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 855
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

739En existencias

Cinta cortada

₡4 855

₡3 886

₡3 144

₡2 796

Envase tipo carrete

₡2 477

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

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