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SQJA90EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJA90EP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJA90EP-T1_GE3
Price: 325 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJA90EP-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJA90EP-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V PowerPAK SO-8L

Hoja de datos:

SQJA90EP-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡325	₡325
	₡322	₡3 220
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡322	₡966 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	19 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	SQJA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Peso de la unidad:	506,600 mg

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive MOSFETs are N-channel / P-channel TrenchFET® power MOSFETs. These automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified and tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQ MOSFETs are available in variants with 200V, 100V, 80V, 60V, 40V, and 30V drain-source voltages (V_DS). Typical applications include engine management, motor drives and actuators, battery management, and body systems.