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SQJQ140E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ140E-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJQ140E-T1_GE3
Price: 2546 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJQ140E-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJQ140E-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQJQ140E-T1_GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 546	₡2 546
	₡1 682	₡16 820
	₡1 189	₡118 900
	₡1 090	₡545 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡1 021	₡2 042 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 1212-8W-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	701 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	530 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.3 V
Qg - Carga de puerta:	288 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	600 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	48 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	117 ns
Serie:	SQJQ
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	93 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	39 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

POWERPAK® 1212 MOSFETs

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