RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

Fabricante:

Descripción:
IGBTs POWER TRS1

Ciclo de vida:
Disponibilidad restringida:
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Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 4

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡8 422 ₡8 422
₡6 293 ₡62 930
₡5 435 ₡652 200
₡5 145 ₡2 623 950
₡4 808 ₡4 904 160

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
Marca: Renesas Electronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 20 A
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Corriente de fuga puerta-emisor: 1 uA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RJP65T43DPM High Speed Switching IGBT

Renesas Electronics RJP65T43DPM High Speed Switching IGBT is a 650V, 20A IGBT with a 20kHz to 100kHz operating frequency range. This IGBT offers low collector-to-emitter saturation voltage and comes in a TO-3PFM package. The RJP65T43DPM IGBT features a 150A collector peak current, 68.8W collector dissipation, and 175°C junction temperature. This IGBT is stored in the -55°C to 150°C temperature range, and typical applications include Power Factor Correction (PFC).

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