FDT86246 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
Hoja de datos
11 613En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 150 V 2 A 236 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
Hoja de datos
14 621En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 150 V 2 A 452 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 4.5 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel