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1EDB6275FXUMA1

Name: Infineon 1EDB6275FXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDB6275FXUMA1
Price: 817.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-1EDB6275FXUMA1

Fabricante N.º:

1EDB6275FXUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

Hoja de datos:

1EDB6275FXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡817,80	₡817,80
	₡620,60	₡6 206,00
	₡569,56	₡14 239,00
	₡514,46	₡51 446,00
	₡487,20	₡121 800,00
	₡469,80	₡234 900,00
	₡447,18	₡447 180,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡430,94	₡1 077 350,00
	₡426,30	₡3 197 250,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Isolated Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DSO-8
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	9 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	15 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de subida:	8.3 ns
Tiempo de caída:	5 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Voltaje de entrada - Máx.:	15 V
Voltaje de entrada - Mín.:	3 V
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retardo de apagado máximo:	45 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	45 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	1 mA
Voltaje de salida:	20 V
Dp - Disipación de potencia :	40 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Nombre comercial:	EiceDRIVER
Alias de las piezas n.º:	1EDB6275F SP005550375

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.