Ampleon RF e inalámbricos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Carrete: 1 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Carrete: 1 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60