Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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GaAs
12 GHz
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
12 GHz
- 55 C
+ 125 C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CEL CE3520K3
CE3520K3
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551-CE3520K3
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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RF JFET Transistors
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GaAs
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NESG270034-EV09-AZ
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RF Bipolar Transistors
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Bipolar
SiGe
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
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551-CE3521M4-C2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
minimold-4
pHEMT
GaAs
20 GHz
- 55 C
+ 125 C
11.9 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
CEL NE5550979A-EV04-A
NE5550979A-EV04-A
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551-NE5550979A-EV04A
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
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RF MOSFET Transistors
Si
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7530K2-C1
CE7530K2-C1
CEL
10 000:
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N.º de artículo de Mouser
551-CE7530K2-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
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Detalles
RF JFET Transistors
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
CEL CE7531K3-C1
CE7531K3-C1
CEL
10 000:
₡789
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N.º de artículo de Mouser
551-CE7531K3-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
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RF JFET Transistors
Reel