IXYS HiPerFET Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V/220A TrenchT3
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230 Amps 75V
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230Amps 100V
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Plazo de entrega 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
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No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
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No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 40A
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Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 46A N-CH TRENCH
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
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No en existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-247-4L
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
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Plazo de entrega 26 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
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Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 150V 76A N-CH TRENCH
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET No en existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFETs Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 150V 0.024 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds
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Plazo de entrega 37 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250V 0.024 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3