IXTA2N100P-TRL

IXYS
747-IXTA2N100P-TRL
IXTA2N100P-TRL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA2N100P TRL

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
2 A
7.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
24.3 nC
- 55 C
+ 150 C
86 W
Enhancement
Polar
Reel
Cut Tape
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 27 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 29 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 80 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 25 ns
Peso de la unidad: 4 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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