.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Infineon CoolMOS Semiconductores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA20N60C3
Infineon Technologies
1: ₡2 453
625En existencias
NRND

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SPA20N60C3

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726-SPA20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3
Infineon Technologies
1: ₡2 674
1 627En existencias
NRND

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SPB17N80C3

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726-SPB17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

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₡2 674

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₡1 386

₡1 247

Envase tipo carrete

₡1 102

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB20N60C3
Infineon Technologies
1: ₡2 593
1 709En existencias
NRND

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SPB20N60C3

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726-SPB20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1 709En existencias

Cinta cortada

₡2 593

₡1 711

₡1 206

₡1 032

Envase tipo carrete

₡974

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5

SPB20N60S5
Infineon Technologies
1: ₡2 819
871En existencias
NRND

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SPB20N60S5

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726-SPB20N60S5

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5

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₡1 873

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₡1 172

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 380
3 751En existencias
NRND

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SPD06N80C3ATMA1

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726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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₡1 380

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₡482

₡459

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₡424

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 734
225En existencias
NRND

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SPP07N60C3XKSA1

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726-SPP07N60C3XKSA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 914
577En existencias
NRND

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SPP11N60C3XKSA1

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726-SPP11N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

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₡870

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5

SPP20N60S5
Infineon Technologies
1: ₡2 622
5 842En existencias
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NRND

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SPP20N60S5

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726-SPP20N60S5

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5

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₡1 299

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD

SPW35N60CFD
Infineon Technologies
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190En existencias
NRND

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SPW35N60CFD

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726-SPW35N60CFD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3
Infineon Technologies
1: ₡6 966
1 891En existencias
NRND

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SPW47N60C3

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726-SPW47N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 941
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IPA60R099P6XKSA1

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726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 680
1 000En existencias
1 000En pedido

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IPA60R120C7XKSA1

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726-IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 314
1 024En existencias
2 500En pedido

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IPA60R120P7XKSA1

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726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 079
3 891En existencias
1 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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₡367

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡945
3 075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡969
14 355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

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726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 548
1 104En existencias

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IPB60R040C7ATMA1

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726-IPB60R040C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 698
470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPAATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

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₡3 439

₡2 523

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₡2 245

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 033
826En existencias

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IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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₡3 033

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₡1 241

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 313
1 014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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₡5 313

₡3 753

₡3 126

₡2 941

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₡2 604

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 601
6 257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡1 601

₡1 021

₡708

₡597

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₡504

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: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 230
15 415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15 415En existencias

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₡1 230

₡783

₡528

₡419

₡383

Envase tipo carrete

₡331

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: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 351
3 456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3 456En existencias

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₡1 351

₡864

₡586

₡465

Envase tipo carrete

₡386

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 201
4 130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4 130En existencias

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₡1 201

₡754

₡495

₡393

Envase tipo carrete

₡305

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 030
2 435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R190C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2 435En existencias

Cinta cortada

₡2 030

₡1 317

₡876

₡725

₡696

Envase tipo carrete

₡661

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