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Infineon CoolMOS Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

IPW50R250CP
Infineon Technologies
1: ₡2 128,60
167En existencias

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IPW50R250CP

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726-IPW50R250CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

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167En existencias

₡2 128,60

₡1 392,00

₡1 090,40

₡904,80

₡788,80

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
1: ₡858,40
8 754En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K8CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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8 754En existencias

Cinta cortada

₡858,40

₡541,72

₡360,18

₡291,16

₡265,06

Envase tipo carrete

₡229,68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: ₡504,60
29 208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R1K4P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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29 208En existencias

₡504,60

₡379,90

₡259,84

₡204,16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 227,20
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-B65R190CFD7AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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839En existencias

Cinta cortada

₡2 227,20

₡1 461,60

₡1 026,60

₡910,60

Envase tipo carrete

₡852,60

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 379,00
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡4 379,00

₡3 503,20

₡2 836,20

₡2 517,20

₡2 233,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: ₡6 420,60
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

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726-IPA65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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₡6 420,60

₡4 674,80

₡3 891,80

₡3 462,60

₡3 242,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 766,60
420En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N65C3XKSA1

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726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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₡2 766,60

₡1 438,40

₡1 310,80

₡1 189,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 205,00
474En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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₡4 205,00

₡2 755,00

₡2 024,20

₡1 803,80

₡1 600,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡510,40
4 702En existencias
NRND

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IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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₡510,40

₡318,42

₡206,48

₡158,34

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₡111,94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡3 851,20
385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡3 851,20

₡2 523,00

₡1 856,00

₡1 653,00

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 838,60
984En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

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726-IPA60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡1 838,60

₡922,20

₡835,20

₡730,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 079,80
571En existencias

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IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 650,60
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R190CFD7A1

Infineon Technologies

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₡2 650,60

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₡1 351,40

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Envase tipo carrete

₡1 049,80

₡986,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 035,80
3 364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡2 035,80

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₡968,60

₡812,00

₡754,00

Envase tipo carrete

₡707,60

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 838,60
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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₡1 838,60

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₡800,40

₡667,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 670,40
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

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726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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₡1 670,40

₡829,40

₡748,20

₡661,20

₡603,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 084,60
1 699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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₡1 084,60

₡566,08

₡454,72

₡359,02

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 276,00
2 100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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₡1 276,00

₡806,20

₡535,34

₡424,56

₡385,70

Envase tipo carrete

₡326,54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R190CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 024,20
551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R190CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190CFD7AA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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551En existencias

₡2 024,20

₡1 038,20

₡939,60

₡794,60

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R075CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 640,00
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R075CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R075CFD7AA

Infineon Technologies

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815En existencias

Cinta cortada

₡4 640,00

₡3 085,60

₡2 494,00

₡2 215,60

Envase tipo carrete

₡1 966,20

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡968,60
2 510En existencias
2 500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2 510En existencias

2 500En pedido

Cinta cortada

₡968,60

₡614,80

₡408,90

₡320,74

₡292,32

Envase tipo carrete

₡238,38

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 972,00
1 189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1 189En existencias

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₡1 972,00

₡1 276,00

₡939,60

₡783,00

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 231,60
1 485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1 485En existencias

Cinta cortada

₡5 231,60

₡3 694,60

₡2 818,80

₡2 743,40

₡2 563,60

Envase tipo carrete

₡2 563,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R190C6
Infineon Technologies
1: ₡2 238,80
898En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Cinta cortada

₡2 238,80

₡1 461,60

₡1 119,40

₡962,80

Envase tipo carrete

₡812,00

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Mult.: 1

: 1 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 061,40
2 125En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Cinta cortada

₡1 061,40

₡469,22

₡356,12

₡312,62

₡307,98

Envase tipo carrete

₡307,98

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Mult.: 1

: 2 500

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