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Panjit Semiconductores

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N.° de pieza

Rectificadores y diodos Schottky 30V Schottky 0.2A

BAT54TS_R2_00001
Panjit
1: ₡139
6 515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BAT54TS_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BAT54TS_R2_00001

Panjit

Rectificadores y diodos Schottky 30V Schottky 0.2A

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6 515En existencias

Cinta cortada

₡139

₡95,1

₡60,3

₡37,7

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₡21,5

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: 12 000

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE65V IC100mA

BC846B-AU_R2_000A1
Panjit
1: ₡98,6
2 006En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BC846B-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-BC846B-AUR2000A1

Panjit

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE65V IC100mA

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2 006En existencias

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Cinta cortada

₡98,6

₡66,7

₡42,3

₡26,7

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₡11,6

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: 12 000

Rectificadores PEC/PG4007/TR/13"/RoHS/5K/DO-41/GPP/AXIAL/PG-10/PG10-QI01/PJ///

PG4007-AU_R2_100A1
Panjit
1: ₡168
296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PG4007-AU_R2_100A1

N.º de artículo de Mouser
241-PG4007-AUR2100A1

Panjit

Rectificadores PEC/PG4007/TR/13"/RoHS/5K/DO-41/GPP/AXIAL/PG-10/PG10-QI01/PJ///

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296En existencias

Cinta cortada

₡168

₡114

₡72,5

₡44,7

Envase tipo carrete

₡26,1

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: 5 000

Rectificadores y diodos Schottky 100V,Schottky,TO-220AB,20A

MBR20100CT_T0_00001
Panjit
1: ₡742
2 206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MBR20100CT_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-MBR20100CTT00000

Panjit

Rectificadores y diodos Schottky 100V,Schottky,TO-220AB,20A

Hoja de datos

2 206En existencias

₡742

₡330

₡309

₡243

₡191

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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDP05120G1_T0_00001
Panjit
1: ₡2 250
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDP05120G1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PCDP05120G1T0001

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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803En existencias

₡2 250

₡1 444

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N03_L2_00001
Panjit
1: ₡394
5 685En existencias
6 000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N03_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N03L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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5 685En existencias

6 000En pedido

Cinta cortada

₡394

₡244

₡157

₡119

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP130N65EC_T0_00001
Panjit
1: ₡2 268
980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP130N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP130N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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980En existencias

₡2 268

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Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PSDH6060CCL1_T0_00001
Panjit
1: ₡1 943
1 436En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSDH6060CCL1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PSDH6060CCL1T001

Panjit

Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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₡1 943

₡1 160

₡992

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Rectificadores 600V Fast Recovery Diode / Optima type - Low Vf

PSDP1560L1_T0_00001
Panjit
1: ₡655
1 578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSDP1560L1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PSDP1560L1T00001

Panjit

Rectificadores 600V Fast Recovery Diode / Optima type - Low Vf

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₡655

₡303

₡295

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJE8472B_R1_00001
Panjit
1: ₡267
3 980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJE8472B_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJE8472BR100001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3 980En existencias

Cinta cortada

₡267

₡187

₡117

₡80,6

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: 4 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJX8838_R1_00002
Panjit
1: ₡267
6 670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJX8838_R1_00002

N.º de artículo de Mouser
241-PJX8838_R1_00002

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

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₡267

₡187

₡117

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₡43,5

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Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PSDB3060S1_T0_00001
Panjit
1: ₡1 340
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSDB3060S1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PSDB3060S1T001

Panjit

Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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10En existencias

₡1 340

₡858

₡597

₡503

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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDD05120G1_L2_00001
Panjit
1: ₡2 871
3 864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDD05120G1_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PCDD05120G1L2001

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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₡2 871

₡2 297

₡1 862

₡1 653

₡1 462

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₡1 462

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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDH20120G1_T0_00601
Panjit
1: ₡8 097
1 441En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDH20120G1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PCDH20120G1T0601

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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1 441En existencias

₡8 097

₡4 907

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Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

PCDH20120CCG1_T0_00601
Panjit
1: ₡7 511
1 495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDH20120CCG1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PCDH2012CG1T0601

Panjit

Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

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1 495En existencias

₡7 511

₡5 139

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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

PCDP0465G1_T0_00001
Panjit
1: ₡1 259
1 366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PCDP0465G1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PCDP0465G1T00001

Panjit

Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

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1 366En existencias

₡1 259

₡696

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

PJMP390N65EC_T0_00001
Panjit
1: ₡1 096
1 970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJMP390N65EC_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJMP390N65T00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

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1 970En existencias

₡1 096

₡945

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJS6412_S1_00001
Panjit
1: ₡273
7 775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJS6412_S1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJS6412_S1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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7 775En existencias

Cinta cortada

₡273

₡166

₡105

₡78,9

₡70,2

Envase tipo carrete

₡67,3

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PSDB3060L1_T0_00001
Panjit
1: ₡887
1 835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSDB3060L1_T0_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PSDB3060L1T001

Panjit

Rectificadores 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1 835En existencias

₡887

₡419

₡405

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3600W,Transient Voltage Suppressors,DO-218AB,36V,UNI

SM5S36A-AU_R2_000A1
Panjit
1: ₡1 195
755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SM5S36A-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-SM5S36AAUR2000A1

Panjit

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3600W,Transient Voltage Suppressors,DO-218AB,36V,UNI

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755En existencias

Cinta cortada

₡1 195

₡899

₡644

Envase tipo carrete

₡551

₡477

₡469

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,Transient Voltage Suppressors,SMA,30V,BI

P4SMAJ30CA-AU_R1_000A1
Panjit
1: ₡319
446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
P4SMAJ30CA-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-P4SMAJ30CAAUR100

Panjit

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,Transient Voltage Suppressors,SMA,30V,BI

Hoja de datos

446En existencias

Cinta cortada

₡319

₡314

₡275

₡220

Envase tipo carrete

₡58

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3414_R1_00001
Panjit
1: ₡273
1 959En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3414_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3414_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1 959En existencias

Cinta cortada

₡273

₡202

₡115

₡77,7

Envase tipo carrete

₡48,7

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
Panjit
1: ₡331
5 130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3470_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3470_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

5 130En existencias

Cinta cortada

₡331

₡204

₡137

₡99,2

Envase tipo carrete

₡79,5

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3472B_R1_00001
Panjit
1: ₡180
1 685En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3472B_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3472BR100001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos

1 685En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

₡180

₡124

₡78,3

₡48,7

Envase tipo carrete

₡29,6

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJW3P06A_R2_00001
Panjit
1: ₡406
2 220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJW3P06A_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJW3P06AR200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos

2 220En existencias

Cinta cortada

₡406

₡250

₡161

₡122

Envase tipo carrete

₡85,8

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

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