Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡6 815
560 En existencias
960 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
560 En existencias
960 En pedido
1
₡6 815
10
₡5 168
100
₡4 304
480
₡3 834
1 200
₡3 584
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 294
976 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
976 En existencias
1
₡3 294
10
₡2 158
100
₡1 589
480
₡1 409
1 200
₡1 253
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
+1 imagen
IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
1:
₡10 846
750 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7FKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
750 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
+1 imagen
IPW65R080CFDA
Infineon Technologies
1:
₡4 785
381 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
381 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡4 785
10
₡3 480
100
₡2 900
480
₡2 581
1 200
₡2 413
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
+1 imagen
IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 710
390 En existencias
240 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
390 En existencias
240 En pedido
Embalaje alternativo
1
₡4 710
10
₡2 743
100
₡2 413
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
IPZ65R019C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡13 595
167 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
167 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡13 595
10
₡10 150
100
₡8 775
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 614
1 196 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1 196 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡5 614
10
₡3 961
100
₡3 300
480
₡2 941
1 200
₡2 749
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
+1 imagen
SPW32N50C3
Infineon Technologies
1:
₡5 011
1 203 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
1 203 En existencias
1
₡5 011
10
₡2 941
100
₡2 622
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
₡824
952 En existencias
1 000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
952 En existencias
1 000 En pedido
1
₡824
10
₡389
100
₡346
500
₡271
1 000
₡227
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6
IPA60R125C6
Infineon Technologies
1:
₡2 859
251 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125C6XK
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6
251 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 859
10
₡2 094
100
₡1 728
500
₡1 462
1 000
₡1 334
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
IPA60R199CP
Infineon Technologies
1:
₡2 355
294 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
294 En existencias
1
₡2 355
10
₡1 206
100
₡1 096
500
₡957
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡760
498 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
498 En existencias
1
₡760
10
₡356
100
₡317
500
₡268
1 000
Ver
1 000
₡205
2 500
₡202
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
IPA60R280E6
Infineon Technologies
1:
₡1 775
273 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
273 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 775
10
₡1 148
100
₡847
500
₡673
1 000
₡615
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
IPA60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 376
431 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6XKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
431 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 376
100
₡847
500
₡615
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
IPA60R299CP
Infineon Technologies
1:
₡1 844
456 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
456 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 844
10
₡1 201
100
₡922
500
₡766
1 000
₡667
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
IPD65R380E6ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 380
646 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R380E6ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
646 En existencias
1
₡1 380
10
₡887
100
₡603
500
₡480
1 000
₡447
2 500
₡415
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
IPL60R360P6SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 334
3 900 En existencias
5 000 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R360P6SATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
3 900 En existencias
5 000 En pedido
1
₡1 334
10
₡858
100
₡579
500
₡462
1 000
₡425
5 000
₡396
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 201
5 000 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R650P6SATMA
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
5 000 En existencias
1
₡1 201
10
₡766
100
₡513
500
₡405
1 000
₡342
5 000
₡310
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1:
₡557
3 057 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
3 057 En existencias
1
₡557
10
₡348
100
₡227
500
₡174
3 000
₡125
6 000
Ver
1 000
₡157
6 000
₡119
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1:
₡441
1 837 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1 837 En existencias
1
₡441
10
₡275
100
₡177
500
₡135
3 000
₡92,8
6 000
Ver
1 000
₡122
6 000
₡91,6
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡824
2 054 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2 054 En existencias
1
₡824
10
₡514
100
₡342
500
₡267
1 000
₡243
3 000
₡206
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R125CP
Infineon Technologies
1:
₡3 445
101 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
101 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 445
10
₡2 407
100
₡1 984
500
₡1 682
1 000
₡1 531
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R165CP
Infineon Technologies
1:
₡2 743
355 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
355 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 743
10
₡1 815
100
₡1 421
500
₡1 259
1 000
₡1 119
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R199CP
Infineon Technologies
1:
₡2 471
372 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R199CP
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
372 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 471
10
₡1 624
100
₡1 241
500
₡1 050
1 000
₡957
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 355
358 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R199CPXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
358 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 355
10
₡1 206
500
₡957
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles