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HyperFET Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

IXFG55N50
IXYS
25: ₡11 815
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFG55N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFG55N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡11 815

₡10 434

Presupuesto

Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

IXFH10N100
IXYS
1: ₡8 926
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

Hoja de datos

No en existencias

₡8 926

₡6 908

₡5 968

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: ₡4 031
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡4 031

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: ₡5 928
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡5 928

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

IXFH12N120
IXYS
30: ₡8 346
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡8 346

₡7 215

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: ₡7 273
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

₡7 273

₡6 287

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: ₡7 836
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡7 836

₡6 774

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: ₡4 710
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

₡4 710

₡4 460

₡4 164

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: ₡5 452
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡5 452

₡4 710

₡4 460

₡4 164

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: ₡6 287
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 287

₡5 435

₡5 145

₡4 802

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

IXFH14N80
IXYS
30: ₡6 409
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 409

₡5 533

₡5 243

₡4 895

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: ₡4 031
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡4 031

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: ₡5 759
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡5 759

₡4 797

₡3 990

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: ₡7 140
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡7 140

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

IXFH21N50
IXYS
90: ₡4 124
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH21N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

Hoja de datos

No en existencias

₡4 124

₡3 434

₡3 057

₡2 854

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

IXFH24N50
IXYS
300: ₡3 283
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH24N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

₡3 283

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

IXFH26N50
IXYS
300: ₡3 022
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

₡3 022

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

IXFH30N40Q
IXYS
30: ₡4 553
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N40Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N40Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡4 553

₡3 793

₡3 376

₡3 155

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

IXFH30N60Q
IXYS
30: ₡5 968
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N60Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡5 968

₡4 965

₡4 425

₡4 130

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q
IXYS
30: ₡6 635
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 635

₡5 730

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q2
IXYS
30: ₡8 404
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q2

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡8 404

₡7 262

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

IXFH40N30
IXYS
300: ₡11 258
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

₡11 258

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

IXFH42N20
IXYS
300: ₡4 437
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH42N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

₡4 437

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

IXFH50N20
IXYS
300: ₡7 963
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

₡7 963

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

IXFH58N20
IXYS
300: ₡6 090
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH58N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH58N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

Hoja de datos

No en existencias

₡6 090

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

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