Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
+1 imagen
IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 619
174 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
174 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 619
10
₡2 053
100
₡1 746
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
+1 imagen
IPW60R099P6
Infineon Technologies
1:
₡2 941
214 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
214 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡2 941
10
₡2 152
100
₡1 746
480
₡1 543
1 200
₡1 369
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 602
223 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
223 En existencias
1
₡3 602
10
₡2 361
100
₡1 734
480
₡1 543
1 200
₡1 369
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡2 587
417 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
417 En existencias
1
₡2 587
10
₡1 676
100
₡1 328
480
₡1 044
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
+1 imagen
IPW65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡7 209
180 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R035CFD7AXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
180 En existencias
1
₡7 209
10
₡5 638
100
₡4 698
480
₡4 188
1 200
₡3 915
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
+1 imagen
IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
1:
₡6 519
112 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
112 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡6 519
10
₡4 942
100
₡4 118
480
₡3 666
1 200
₡3 428
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 567
346 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
346 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡3 567
10
₡2 082
100
₡1 740
480
₡1 717
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
+1 imagen
IPW65R099CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡3 700
60 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099CFD7AXK
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
60 En existencias
1
₡3 700
10
₡2 134
100
₡1 792
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
+1 imagen
IPW65R110CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 182
201 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDAFKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
201 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡4 182
10
₡2 784
100
₡2 332
480
₡1 966
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPWS65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡6 067
151 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R050CFD7AX
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
151 En existencias
1
₡6 067
10
₡4 414
100
₡3 677
480
₡3 277
1 200
₡3 062
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 626
12 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037CM8XKS
Nuevo en Mouser
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
12 En existencias
1
₡5 626
10
₡3 967
100
₡3 306
480
₡2 941
1 200
₡2 755
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡5 835
114 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
114 En existencias
1
₡5 835
10
₡3 463
100
₡3 202
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
₡4 304
174 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
174 En existencias
1
₡4 304
10
₡2 859
100
₡2 314
480
₡2 053
1 200
₡1 821
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
+1 imagen
SPW16N50C3
Infineon Technologies
1:
₡2 546
378 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-SPW16N50C3
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3
378 En existencias
1
₡2 546
10
₡1 415
100
₡1 398
480
₡1 073
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 600V
+1 imagen
IXKH70N60C5
IXYS
1:
₡14 715
9 En existencias
N.º de artículo de Mouser
747-IXKH70N60C5
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 600V
9 En existencias
1
₡14 715
10
₡11 983
120
₡10 579
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
IPA60R380C6
Infineon Technologies
1:
₡1 508
330 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380C6XK
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6
330 En existencias
Embalaje alternativo
1
₡1 508
10
₡963
100
₡655
500
₡546
1 000
Ver
1 000
₡481
2 500
₡473
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1:
₡905
110 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3
110 En existencias
1
₡905
10
₡396
100
₡344
500
₡264
1 000
₡257
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
₡1 810
159 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R460CEXKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
159 En existencias
1
₡1 810
10
₡911
100
₡818
500
₡667
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
1:
₡1 554
107 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R650CEXKSA2
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
107 En existencias
1
₡1 554
10
₡771
100
₡696
500
₡556
1 000
₡550
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡452
328 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
328 En existencias
1
₡452
10
₡278
100
₡181
500
₡137
2 500
₡100
5 000
Ver
1 000
₡124
5 000
₡88,2
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡371
1 475 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1 475 En existencias
1
₡371
10
₡229
100
₡143
500
₡130
2 500
₡95,7
5 000
Ver
1 000
₡115
5 000
₡82,9
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
1:
₡545
2 451 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5CEAUMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 451 En existencias
1
₡545
10
₡341
100
₡222
500
₡171
2 500
₡125
5 000
Ver
1 000
₡154
5 000
₡115
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2
IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1:
₡1 682
1 085 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2
1 085 En existencias
1
₡1 682
10
₡1 085
100
₡754
500
₡609
1 000
₡570
2 500
₡544
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.7A DPAK-2
IPD60R3K3C6ATMA1
Infineon Technologies
1:
₡528
3 850 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R3K3C6ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.7A DPAK-2
3 850 En existencias
1
₡528
10
₡355
100
₡254
500
₡200
2 500
₡151
5 000
Ver
1 000
₡181
5 000
₡140
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2 500
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
1:
₡406
2 327 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 327 En existencias
1
₡406
10
₡249
100
₡161
500
₡122
3 000
₡81,8
6 000
Ver
1 000
₡110
6 000
₡80
9 000
₡77,1
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles