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CoolMOS Semiconductores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R099C6
Infineon Technologies
1: ₡3 317,60
405En existencias
NRND

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IPP60R099C6

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726-IPP60R099C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

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₡3 317,60

₡2 656,40

₡2 192,40

₡1 856,00

₡1 687,80

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 088,00
301En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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₡2 088,00

₡1 061,40

₡817,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 040,20
152En existencias
NRND

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IPW60R070C6FKSA1

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726-IPW60R070C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

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₡5 040,20

₡2 958,00

₡2 644,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R099CP
Infineon Technologies
1: ₡4 564,60
28En existencias
NRND

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IPW60R099CP

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726-IPW60R099CP

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

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₡4 564,60

₡3 323,40

₡2 621,60

₡2 372,20

₡2 302,60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies
1: ₡4 187,60
1En existencias
NRND

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IPW60R099CPFKSA1

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726-IPW60R099CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

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₡2 302,60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R125CP
Infineon Technologies
1: ₡3 601,80
1En existencias
NRND

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IPW60R125CP

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726-IPW60R125CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

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₡3 601,80

₡2 760,80

₡2 233,00

₡1 977,80

₡1 757,40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R190C6
Infineon Technologies
1: ₡2 534,60
129En existencias
716En pedido
NRND

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IPW60R190C6

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726-IPW60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

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129En existencias

716En pedido

₡2 534,60

₡1 409,40

₡1 160,00

₡1 055,60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

IPW60R190E6
Infineon Technologies
1: ₡2 604,20
9En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R190E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

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₡2 604,20

₡1 740,00

₡1 339,80

₡1 183,20

₡1 055,60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

IPW65R037C6FKSA1
Infineon Technologies
1: ₡8 444,80
30En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R037C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R037C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

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₡6 020,40

₡4 993,80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA07N60C3
Infineon Technologies
1: ₡1 635,60
105En existencias
500En pedido
NRND

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SPA07N60C3

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726-SPA07N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

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105En existencias

500En pedido

₡1 635,60

₡812,00

₡730,80

₡585,80

₡580,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 786,40
1 304En existencias
NRND

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SPD07N60C3ATMA1

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726-SPD07N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Cinta cortada

₡1 786,40

₡1 160,00

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Envase tipo carrete

₡609,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3
Infineon Technologies
1: ₡1 403,60
370En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3

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726-SPP06N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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₡1 403,60

₡899,00

₡614,80

₡508,66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡2 847,80
312En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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312En existencias

₡2 847,80

₡1 484,80

₡1 351,40

₡1 235,40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD

SPW24N60CFD
Infineon Technologies
1: ₡3 648,20
207En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW24N60CFD

N.º de artículo de Mouser
726-SPW24N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD

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207En existencias

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₡3 648,20

₡2 795,60

₡1 983,60

₡1 774,80

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R600E6ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 090,40
2 494En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600E6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600E6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

2 494En existencias

Cinta cortada

₡1 090,40

₡696,00

₡461,10

₡377,58

₡330,60

₡300,44

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡620,60
1 186En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1 186En existencias

Cinta cortada

₡620,60

₡386,28

₡285,94

₡219,82

₡145,58

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: ₡667,00
392En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R600P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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392En existencias

Más información disponible

₡667,00

₡418,76

₡302,76

₡267,96

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 537,00
1 290En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

1 290En existencias

Cinta cortada

₡1 537,00

₡991,80

₡707,60

₡597,40

₡513,30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
1: ₡1 873,40
185En existencias
500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

185En existencias

500En pedido

₡1 873,40

₡1 218,00

₡893,20

₡742,40

₡649,60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡7 186,20
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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5En existencias

₡7 186,20

₡5 620,20

₡4 686,40

₡4 176,00

₡3 903,40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds

IXKR47N60C5
IXYS
1: ₡16 269,00
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKR47N60C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXKR47N60C5

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds

Hoja de datos

30En existencias

₡16 269,00

₡10 538,60

₡10 068,80

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3
Infineon Technologies
1: ₡2 981,20
138En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

138En existencias

₡2 981,20

₡1 977,80

₡1 600,80

₡1 357,20

₡1 235,40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 344,20
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R037CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

₡4 344,20

₡3 474,20

₡2 813,00

₡2 499,80

₡2 209,80

Envase tipo carrete

₡2 209,80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 700

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
1: ₡4 744,40

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Más información disponible

Cinta cortada

₡4 744,40

₡3 219,00

₡2 349,00

₡2 209,80

Envase tipo carrete

₡2 146,00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 874,40

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

₡3 874,40

₡2 540,40

₡1 867,60

₡1 711,00

Envase tipo carrete

₡1 473,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

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