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HiPerFET Serie Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds

IXFH10N100Q
IXYS
30: ₡6 908
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 908

₡5 968

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: ₡4 031
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡4 031

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: ₡5 928
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡5 928

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: ₡7 273
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

₡7 273

₡6 287

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: ₡7 836
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡7 836

₡6 774

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: ₡4 710
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

₡4 710

₡4 460

₡4 164

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: ₡5 452
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡5 452

₡4 710

₡4 460

₡4 164

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: ₡6 287
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡6 287

₡5 435

₡5 145

₡4 802

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: ₡4 031
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡4 031

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: ₡5 759
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡5 759

₡4 797

₡3 990

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80Q
IXYS
30: ₡8 822
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡8 822

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: ₡7 140
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

₡7 140

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

IXFH21N50
IXYS
90: ₡4 124
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH21N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

Hoja de datos

No en existencias

₡4 124

₡3 434

₡3 057

₡2 854

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

IXFH40N30
IXYS
300: ₡11 258
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

₡11 258

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

IXFH42N20
IXYS
300: ₡4 437
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH42N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

₡4 437

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

IXFH50N20
IXYS
300: ₡7 963
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

₡7 963

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

IXFH58N20
IXYS
300: ₡6 090
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH58N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH58N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

Hoja de datos

No en existencias

₡6 090

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V

IXFH67N10
IXYS
30: ₡5 736
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH67N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH67N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V

Hoja de datos

No en existencias

₡5 736

₡4 779

₡4 257

₡3 973

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1000V 2 Rds

IXFH6N100Q
IXYS
30: ₡4 460
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N100Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N100Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1000V 2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

₡4 460

₡3 712

₡3 306

₡2 946

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

IXFH76N07-11
IXYS
300: ₡9 031
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH76N07-11

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH76N07-11

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

₡9 031

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

IXFH76N07-12
IXYS
90: ₡4 437
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH76N07-12

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH76N07-12

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 76A

Hoja de datos

No en existencias

₡4 437

₡3 689

₡3 289

₡3 074

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V

IXFH7N80
IXYS
30: ₡4 344
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH7N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH7N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V

Hoja de datos

No en existencias

₡4 344

₡3 613

₡3 219

₡3 010

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 110A

IXFK110N07
IXYS
300: ₡13 230
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK110N07

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK110N07

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V 110A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

₡13 230

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V

IXFK170N10
IXYS
25: ₡8 984
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V

Hoja de datos

No en existencias

₡8 984

₡8 978

Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 24A

IXFK24N100
IXYS
300: ₡15 950
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFK24N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK24N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 24A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas

₡15 950

Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

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