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CoolMOS Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA65R095C7XKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 839
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IPA60R180P7XKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN70R360P7SXKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
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Módulos MOSFET 45 Amps 800V

IXKN45N80C
IXYS
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IXKN45N80C

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IXYS

Módulos MOSFET 45 Amps 800V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1: ₡1 839
532En existencias
NRND

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IPP60R165CPXKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 166
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IPD80R1K0CEATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
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IPN60R1K5CEATMA1

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₡177

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: ₡545
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726-IPD60R1K0CEAUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: ₡771
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NRND

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IPU95R3K7P7AKMA1

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726-IPU95R3K7P7AKMA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 044
1 362En existencias
NRND

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SPD04N80C3ATMA1

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726-SPD04N80C3ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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₡405

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R160C6
Infineon Technologies
1: ₡2 622
488En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160C6

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6

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488En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 600V 0.19 Rds

IXKC20N60C
IXYS
1: ₡8 068
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKC20N60C

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747-IXKC20N60C

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 600V 0.19 Rds

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₡6 026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
Infineon Technologies
1: ₡1 583
569En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA15N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA15N60C3

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

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569En existencias

₡1 583

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R017CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡10 898
525En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R017CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R017CFD7XT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

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₡10 898

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₡7 395

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Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡5 754
525En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R040CFD7XT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

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Cinta cortada

₡5 754

₡4 060

₡3 381

₡3 016

Envase tipo carrete

₡2 819

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R065C7
Infineon Technologies
1: ₡4 240
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

243En existencias

₡4 240

₡3 393

₡2 743

₡2 436

₡2 158

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡1 618
860En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

860En existencias

Cinta cortada

₡1 618

₡1 050

₡719

₡592

Envase tipo carrete

₡549

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 000

Módulos MOSFET EasyPACK 1B module with CoolMOS CFD7A Automotive MOSFET and PressFIT / NTC

F899MR07W1D7B11ABPSA1
Infineon Technologies
1: ₡24 957
48En existencias
48En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
F899MR07W1D7B11ABPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-F899MR07W1D7B11A

Nuevo producto

Infineon Technologies

Módulos MOSFET EasyPACK 1B module with CoolMOS CFD7A Automotive MOSFET and PressFIT / NTC

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48En existencias

48En pedido

₡24 957

₡18 612

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 430
1 472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R099CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R099CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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1 472En existencias

Cinta cortada

₡2 430

₡1 601

₡1 125

₡969

₡905

Envase tipo carrete

₡905

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: ₡5 110
566En existencias
480En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R040CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R040CM8XKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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566En existencias

480En pedido

₡5 110

₡3 004

₡2 691

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ60R024CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡6 316
649En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R024CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R024CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

649En existencias

Cinta cortada

₡6 316

₡4 785

₡3 990

₡3 555

Envase tipo carrete

₡3 323

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ60R070CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 335
715En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R070CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R070CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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715En existencias

Cinta cortada

₡3 335

₡2 181

₡1 607

₡1 427

Envase tipo carrete

₡1 270

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor

IPDQ60T010S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: ₡14 401
642En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60T010S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60T010S7AXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor

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642En existencias

Cinta cortada

₡14 401

₡11 530

₡9 970

Envase tipo carrete

₡9 970

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

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