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PJL9580_R2_00201

Name: Panjit PJL9580_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJL9580_R2_00201
Price: 1032 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJL9580_R2_00201

Fabricante N.º:

PJL9580_R2_00201

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 032	₡1 032
	₡655	₡6 550
	₡440	₡44 000
	₡348	₡174 000
	₡318	₡318 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡299	₡747 500
	₡296	₡1 480 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	54 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	10.4 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	11 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.4 ns
Alias de las piezas n.º:	PJL9580
Peso de la unidad:	83 mg

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).