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SICW080N120H-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW080N120H-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW080N120H-BP
Price: 2581 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

833-SICW080N120H-BP

Fabricante N.º:

SICW080N120H-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

SICW080N120H-BP Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 581,00	₡4 645 800,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247AB-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	33 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	134 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	131 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	224 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	26.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.5 S
Empaquetado:	Bulk
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	64 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28 ns

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Hoja de datos

SICW080N120H-BP Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de canal N SiC de 1200 V SICW0x

Los MOSFET de canal N SiC de 1200 V SICW0x de Micro Commercial Components (MCC) amplifican el rendimiento en paquetes versátiles TO-247-4, TO-247-4L y TO-247AB. Estos MOSFET cuentan con alta velocidad de conmutación con baja carga de puerta, flexibilidad de diseño y confiabilidad. Los MOSFET SiC de 1200 V SICW0x incluyen un amplio rango de resistencia de encendido típico de 21 mΩ a 120 mΩ y un rendimiento confiable. Estos MOSFET SiC ofrecen propiedades térmicas superiores y un diodo intrínseco rápido para garantizar un funcionamiento suave y eficiente en condiciones difíciles. Los MOSFET SiC SICW0x están disponibles en configuraciones de 3 pines y 4 pines (fuente Kelvin). Las aplicaciones típicas incluyen controladores de motores, equipos de soldadura, fuentes de alimentación, sistemas de energía renovable, infraestructura de carga, sistemas en la nube y suministro de energía ininterrumpible (UPS).