STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
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186En existencias
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Triacs SNUBBERLESS 30 A TRIACS
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 600 Volt
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6 800En pedido
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Triacs SMD/SMT DPAK
STMicroelectronics Triacs 8A 800V 150°C D²PAK Logic Level T-Series Triac
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10 801En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK-4
STMicroelectronics SCR High temperature 50A SCR
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1 926En existencias
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SCRs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs 1.0 Amp 600 Volt
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18 471En existencias
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Triacs Through Hole TO-92
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
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1 248En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1 478En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
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537En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Bi
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
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823En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 600 W, 14.1 V TVS in SMB
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2 689En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 2 x 10A 54V 0.57VF
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382En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220
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821En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Rectificadores Turbo2 ultrafast High Volt Rec SMPS
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Rectifiers Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Rectificadores Automotive Ultrafast 2x3A 200V 0.80VF
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Rectifiers SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics SCR 50 A 1200 V High Temperature SCR Thyristor in TO247-LL Package
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599En existencias
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SCRs Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Triacs Overvoltage Triac Static dV/dt >2000 V
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566En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8


STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 170 V, 80A, low drop power Schottky rectifier
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526En existencias
600En pedido
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Schottky Diodes & Rectifiers Si
STMicroelectronics Rectificadores Ultrafast Auto Diode 200V 2x8 A IF 20 ns
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1 375En existencias
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Rectifiers SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V Uni
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1 100En existencias
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: 2 500

SMC (DO-214AB)