STMicroelectronics Semiconductores discretos

Resultados: 4 073
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
1 754En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
Hoja de datos
1 020En existencias
1 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
Hoja de datos
768En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
Hoja de datos
1 580En existencias
1 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Hoja de datos
548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
Hoja de datos
889En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
Hoja de datos
3 133En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa
Hoja de datos
3 421En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

MOSFETs Si SMD/SMT
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
1 313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
Hoja de datos
1 232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
Hoja de datos
609En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
Hoja de datos
631En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Hoja de datos
670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
989En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package
Hoja de datos
897En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2x15 Amp 45 Volt
Hoja de datos
2 765En existencias
2 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 5.0 Amp 100 Volt
Hoja de datos
2 843En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode
Hoja de datos
598En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
Hoja de datos
3 357En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3
STMicroelectronics Rectificadores Automotive 600 V, 15 A Turbo 2 Soft Ultrafast Recovery Diode
Hoja de datos
938En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Hoja de datos
166En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET
Hoja de datos
777En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Hoja de datos
478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Triacs 12A 800V 150°C D²PAK Logic Level T-Series Triac
Hoja de datos
2 863En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs SMD/SMT D2PAK-3/2