STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 10A 45V VRRM 0.57V
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 30 Volt
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Lo drop Pwr Schottky rectifier
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 150 Volt
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1 964En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores 3.0 Amp 200 Volt
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Rectifiers SMD/SMT SMC
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
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1 841En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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340En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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585En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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596En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Triacs 16A Snubberless 800Vrrm 900Vrsm 35mA
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Triacs Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics Triacs Sensitive 8 A High Temperature
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2 000En pedido
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR 12 Amp 400 Volt
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3 077En existencias
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SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics SCR 16 Amp 800 Volt
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1 793En existencias
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SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics Triacs 1.0 Amp 800 Volt
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12 007En existencias
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Triacs Through Hole TO-92
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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124En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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364En existencias
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GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
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: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Triacs 20 Amp 700 Volt
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
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1 962En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 6.5 V TVS in SMC
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1 955En existencias
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SMC (DO-214AB)