STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR
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SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT SMBF-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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SiC Schottky Diodes

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
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1 017En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
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1 634En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
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2 316En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 100 V TVS in SMC
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2 374En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
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MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
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18En pedido
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MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 12 V ESD protection in SOT323
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33 675En existencias
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SOT-323-3