STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole Hip247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4

STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT ACEPACK SMIT-9
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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MOSFETs Si
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 85 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 170 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 58 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 70 V TVS
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 8.5 V TVS
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 10 V TVS
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 16 V TVS
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 20 V TVS
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 22 V TVS
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 5000 W, 24 V TVS
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