IXYS Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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510En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
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298En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
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1 881En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3

IXYS IGBTs 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
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195En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
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395En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
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204En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
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238En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
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390En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
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4 629En existencias
2 050En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
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213En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.2 Amps 500V 30 Rds
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3 666En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
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212En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO264 1200V 110A GENX4
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148En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
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548En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
IXYS SCR Phase Control Thyristors, SCR
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240En existencias
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SCRs Through Hole i4-Pac-5
IXYS Rectificadores RECT 800V 40A SM STD RCOVR
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1 455En existencias
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: 800
Rectifiers SMD/SMT TO-263-4
IXYS IGBTs TO247 3KV 32A IGBT
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211En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
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660En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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1 128En existencias
780En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
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88En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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169En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A
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274En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
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487En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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1 649En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)