STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 1A 100V HI VLTG PWR
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DO-222AA-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky POWER MOSFET
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X10 Amp 45 Volt
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: 1 000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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2 970En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Triacs 30 A - 600 V - 150 °C H-series Triacs
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916En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics SCR 8.0 Amp 600 Volt
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2 772En existencias
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
STMicroelectronics SCR 16 Amp 600 Volt
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2 438En existencias
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SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics Triacs 8 Amp 400 Volt
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1 604En existencias
821En pedido
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Mlti-lne low cap ESD 4 Line 2.5pF 5V
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10 659En existencias
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SOT-666-6
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 48V Bidirect
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3 614En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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100En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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546En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1 852En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
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2 384En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
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340En existencias
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: 400

IGBT Modules Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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1 861En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
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693En existencias
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: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2