STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 154V Unidirect
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 28 V TVS in SMC
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 48 V TVS in SMC
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 6V 0.2uA 15kV 8kV BI
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 30 V TVS in SMC
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistores Darlington NPN Power Darlington
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Darlington Transistors Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2F-26


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
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1 480En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3